130℃燒結無壓納米銀膏驅動光電器件技術突破與產業變革

一 技術突破：130℃超低溫燒結納米銀膏的國產化實現

1材料性能躍升

130℃超低溫燒結納米銀膏是整個無壓燒結銀行業的新突破，善仁新材的納米銀膏AS9338通過納米顆粒表面能優化和有機載體創新，實現130℃無壓燒結，燒結層致密度達92%以上，熱導率突破140 W/m·K，剪切強度達35MPa以上，滿足車規級可靠性要求。

2工藝兼容性突破
開發適配現有SMT產線的無壓燒結工藝，無需改造設備即可替代傳統焊料。例如，善仁新材的AS9338在普通烤箱中130℃燒結90分鐘，良率超99%。

3成本優勢顯著
善仁新材通過納米銀粉國產化和綠色合成工藝，銀膏成本從進口的36萬元/公斤降至19萬元/公斤，降幅達67%。以單顆激光雷達模塊為例，銀耗成本從200元降至68元。

二 核心應用場景與國產替代進展

1激光雷達（LiDAR）

技術突破：AS9338燒結銀膏用于InGaAs光電探測器封裝，響應波長擴展至2.6 μm，熱阻降至0.08℃·cm/W，使激光雷達探測距離突破300米。

國產化案例：**M1激光雷達采用國產銀膏后，模組成本降低40%，良率從75%提升至92%。

2Micro-LED顯示

技術突破：通過納米銀膏實現倒裝芯片（Flip-Chip）無焊料互連，像素密度達3000 PPI，功耗降低30%。

國產化案例：**Vision Pro的Micro-LED模組采用無壓納米燒結銀膏，產線節拍提升至1200片/小時。

3柔性光伏組件

技術突破：AS9120BL銀漿用于鈣鈦礦電池電極，方阻低至3 Ω/sq，0BB無主柵技術使銀耗減少30%。

國產化案例：**組件采用國產納米銀膏后，單瓦成本下降0.05元，產能提升至10 GW/年。

三 國產化浪潮的三大驅動力

1政策與資本助推

國家大基金三期將第三代半導體封裝材料列為重點，2025年累計投資超50億元。

2產業鏈協同創新

善仁新材與**共建聯合實驗室，開發出適配800V高壓平臺的耐電遷移銀膏（電遷移率<1×10?1? A/cm2·V?1）。

3設備國產替代

**智能推出130℃無壓燒結設備適配AS9338，溫控精度±0.5℃，價格僅為進口設備的1/5。

四 未來趨勢：從替代到定義標準

1三維集成突破
利用130℃燒結銀膏的低熱應力特性，構建3D堆疊光電芯片。實驗顯示，HBM3與計算單元的垂直互連密度達1 TB/s/cm2，功耗降低50%。

2量子級聯集成
在InAs/GaSb量子阱器件中集成無壓納米銀膏互連，工作溫度從液氮溫區（77K）提升至室溫，功耗降低90%，為量子計算芯片封裝提供新方案。

結語

善仁新城的130℃燒結納米銀膏AS9338的國產化突破，不僅解決了光電器件“卡脖子”難題，更重構了全球無壓燒結銀膏的產業鏈格局。隨著材料性能持續優化（如熱導率向300W/m.K邁進）和成本優勢擴大（較進口產品低30%以上），善仁新材納米銀膏正從“替代進口”轉向“定義標準”，在第三代半導體、6G通信、量子信息等*領域開辟新賽道。這場由材料創新引領的國產化浪潮，或將重塑全球光電器件產業版圖。